LM5101CSD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录ADP3629ARZ-R7
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9.5～18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。MIC4225YM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC4225YM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。FAN7083M-GF085
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101、湿敏性 是、型号别名 FAN7083M_GF085、单件重量 0.008127 oz。L6574D013TR
STMicroelectronics · 封装：SO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SO-16 封装。IR2106SPBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PDIP-14 封装。IR1169STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、型号别名 SP001562640、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。TC4451VOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-8 封装。UCC27424QDRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。IR21064STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-14 封装。L6491D
STMicroelectronics · 封装：SO-14
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、单件重量 0.009143 oz，采用 SO-14 封装。NCP81022MNTXG
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si。TD351IDT
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 12 V、工作电源电压 28 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SO-8 封装。VOL3120-X001T
Vishay Semiconductors · 封装：LSOP-5
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 0～35 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 LSOP-5 封装。AUIRS21271STR
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SOIC-8 封装。VNP14NV04-E
STMicroelectronics · 封装：TO-220-3
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 TO-220-3 封装。IR2101PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PDIP-8 封装。VNB14NV04TR-E
STMicroelectronics · 封装：D2PAK-2
主要参数包括输出电流 12 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、上升时间 350 ns，采用 D2PAK-2 封装。VND5E160MJTR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-12
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 41 V、工作电源电压 4.5～28 V、输出电流 10 A、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSSO-12 封装。IRS2111STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。