MIC4422YM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录IRS21814SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si，采用 SOIC-14 封装。FAN7393AMX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-14 封装。VN751STR
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 24 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SO-8 封装。TPS2816DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。TPS2818DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。TPS2815PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 TSSOP-8 封装。1EDI40I12AFXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 7.5 A、技术 Si、类型 High Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MCP14700-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 0.025 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 DFN-8 封装。UCC37324DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC27423DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。IXDD604D2TR
IXYS Integrated Circuits · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-8 封装。SI8220BB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 Isolated Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。IRS21867SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。MCP14E4T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。SI8220DB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 Isolated Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。TC4428AEUA713
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。TC4427AEUA713
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。ADP3654ARHZ-RL
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.15～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 MSOP-8 封装。IR25600PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 6～20 V、输出电压 6～20 V、输出电流 1.5 A、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。