芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

134,686 条型号记录

每页 20 条

PM8834MTR

STMicroelectronics · 封装：MSOP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。

查看资料询价

IRS2106SPBF

Infineon Technologies · 封装：PDIP-14

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PDIP-14 封装。

查看资料询价

DGD2106MS8-13

Diodes Incorporated · 封装：SO-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SO-8 封装。

查看资料询价

L6386ADTR

STMicroelectronics · 封装：SOIC-14

主要参数包括电源电压（最小值） - 0.3 V、电源电压（最大值） 17 V、工作电源电压 15 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-14 封装。

查看资料询价

IR2301SPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 5～20 V、输出电压 5～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。

查看资料询价

IRS2106STRPBF

Infineon / IR · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。

查看资料询价

ISL6208BCRZ-T

Renesas / Intersil · 封装：DFN-8

主要参数包括技术 Si、湿敏性是、单件重量 0.000388 oz，采用 DFN-8 封装。

查看资料询价

IR25603PBF

Infineon / IR · 封装：PDIP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、工作电源电压 10 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers、上升时间 80 ns，采用 PDIP-8 封装。

查看资料询价

TPS51601ADRBR

Texas Instruments · 封装：SON-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、输出电压 6 V、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 SON-8 封装。

查看资料询价

DGD2190MS8-13

Diodes Incorporated · 封装：SO-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SO-8 封装。

查看资料询价

IR2103SPBF

Infineon Technologies · 封装：SO-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 130 mA、技术 Si，采用 SO-8 封装。

查看资料询价

MIC4100YM

Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。

查看资料询价

1EDI20I12MFXUMA1

Infineon Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 4.4 A、技术 Si、类型 High Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。

查看资料询价

IR21814STRPBF

Infineon / IR · 封装：SOIC-14

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 2.3 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-14 封装。

查看资料询价

IR2304PBF

Infineon Technologies · 封装：PDIP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。

查看资料询价

IRS21844MTRPBF

Infineon / IR · 封装：MLPQ-16

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MLPQ-16 封装。

查看资料询价

IR21814SPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-14

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-14 封装。

查看资料询价

IR4427STRPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 2.3 A、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。

查看资料询价

MCP14700T-E/MF

Microchip Technology · 封装：MOSFET Gate Drivers

主要参数包括技术 Si、单件重量 0.000840 oz，采用 MOSFET Gate Drivers 封装。

查看资料询价

IRS2117STRPBF

Infineon / IR · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS，采用 SOIC-8 封装。

查看资料询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。