IR25603STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、工作电源电压 10 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers、上升时间 80 ns，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录PM8834TR
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output。IRS21271STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TPL9201PWPR
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 5 V、输出电流 150 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 HTSSOP-20 封装。UCC27524ADR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。IR2304STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。IRS2101SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。MC33151VDR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS, LSTTL，采用 SOIC-8 封装。IR25600SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 6～20 V、输出电压 6～20 V、输出电流 1.5 A、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。2EDL05I06PFXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 2EDL05I06PF SP001048832，采用 SOIC-8 封装。IR25604STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 350 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。LM5110-3MX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。LM5110-1SD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。LM5111-2MY/NOPB
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。LM5110-1SDX/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。IRS21531DSPbF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 180 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。2EDL05I06PJXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 17.5 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-14 封装。2EDL05I06PJ
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 2EDL05I06PJXUMA1 SP001114156。BD2270HFV-TR
ROHM Semiconductor
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 9.5 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers。L6569AD013TR
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、工作电源电压 10 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SO-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。