LM5112MYX/NOPB
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 7 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录FAN7380MX-OP
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 180 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOP-8 封装。VN5E160STR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 41 V、工作电源电压 13 V、输出电流 10 A、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSO-8 封装。IRS2104PBF
Infineon / IR · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。LM5112MY/NOPB
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 7 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。NCP81071AZR2G
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si。MIC4600YML-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电压 5 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 QFN-16 封装。TC4426EOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。TC4427EOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 0.025 V、输出电流 1.5 A、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC24610DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 6.5 V、工作电源电压 4.5～6.5 V、输出电压 5.5 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 SOIC-8 封装。IRS4428SPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 6～20 V、输出电流 2.3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。FAN3225TMPX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MLP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 MLP-8 封装。FAN3223TMPX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MLP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MLP-8 封装。FAN3224CMPX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MLP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 MLP-8 封装。IRS2127STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。IRS2127SPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 9～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。TPS28225DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 8.8 V、工作电源电压 4～8.8 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。L6395D
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、单件重量 0.003527 oz。L6395DTR
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 580 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SO-8 封装。LM5110-2MX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。