NUD3112LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、技术 Si、类型 Inverting、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SOT-23-3 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MIC5019YFT-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：QFN-4
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 9 V、工作电源电压 2.7～9 V、输出电流 10.6 uA、技术 Si、类型 High Side，采用 QFN-4 封装。PX3519
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、型号别名 PX3519XTMA1 SP000985712。FL3100TMPX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MLP-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 MLP-6 封装。PX3517FTMA1
Infineon Technologies · 封装：SON-10
主要参数包括技术 Si、型号别名 PX3517 SP000923218，采用 SON-10 封装。MIC4126YME
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 4.5～20 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。IRS2103SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 290 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。NCP81162MNR2G
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si。FAN3111CSX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 1.4 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOT-23-5 封装。ZXGD3001E6TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最大值） 12 V、输出电流 2.2 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOT-23-6 封装。IRS2005STRPBF
Infineon / IR
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 SP001548596。FAN7711MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 12.4 V、电源电压（最大值） 15.2 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOP-8 封装。VNS1NV04PTR-E
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括输出电流 - 3 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、输出数 1 Output、配置 Single，采用 SO-8 封装。RE46C318S8F
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 5 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Piezoelectric Horn Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-8 封装。FAN3180TSX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 3.3 V、输出电流 2.5 A、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。NCP5109BDR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.002534 oz，采用 SOIC-8 封装。IR3537MTRPBF
Infineon Technologies · 封装：DFN-10
主要参数包括最大时钟频率 1000 kHz、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 4.5～13.2 V、输出电压 13.2 V、输出电流 6 A，采用 DFN-10 封装。CHL8510CRT
Infineon / IR · 封装：DFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 10.8 V、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 10.8～13.2 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 DFN-10 封装。FAN7842MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL，采用 SOP-8 封装。IR25601STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 130 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。