VN920SP-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、输出数 1 Output、工作电源电流 5 mA，采用 PowerSO-10 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录HIP2100IBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 9～14 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。IXDI614YI
IXYS Integrated Circuits · 封装：TO-263-5
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、商品名称 Clare，采用 TO-263-5 封装。VN5E025AJTR-E
STMicroelectronics · 封装：Power SSO-12
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 13 V、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 High Side，采用 Power SSO-12 封装。CSD95372BQ5M
Texas Instruments · 封装：LSON-CLIP-12
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是、商品名称 NexFET，采用 LSON-CLIP-12 封装。UCC27211DRMT
Texas Instruments · 封装：VSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 7.8～20 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 VSON-8 封装。CSD95372BQ5MC
Texas Instruments · 封装：VSON-CLIP-12
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是、商品名称 NexFET，采用 VSON-CLIP-12 封装。ISO1H816G
Infineon Technologies · 封装：SOIC-36
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 High Side、产品 Relay Drivers，采用 SOIC-36 封装。ISO1H812G
Infineon Technologies · 封装：PG-DSO-36
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.5 V、电源电压（最大值） 6.5 V、输出电流 625 mA、技术 Si、类型 High Side、产品 Driver ICs - Various，采用 PG-DSO-36 封装。VNQ5027AK-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 13 V、输出电流 42 A、技术 Si、驱动器数 4 Driver、输出数 4 Output。IR2133SPbF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 625 V、输出电压 0.3 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。IR2114SSPBF
Infineon Technologies · 封装：SSOP-24
主要参数包括电源电压（最小值） 11.5 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 625 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SSOP-24 封装。VND830SPTR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 13 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSO-10 封装。IR2121PBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 23 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。AUIPS7221RTRL
Infineon / IR · 封装：DPAK-5
主要参数包括电源电压（最小值） 0.9 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 200 nA、技术 Si、类型 High Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 DPAK-5 封装。LM27222MX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 6.85 V、工作电源电压 4～6.85 V、输出电流 4.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC27423MDREP
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。NCP5901BDR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 35 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。NCP5901BMNTBG
ON Semiconductor · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 35 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-8 封装。RE46C100D8TF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括技术 Si，采用 DFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。