2ED300C17-ST
Infineon Technologies
主要参数包括电源电压（最小值） 14 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 15 V、输出电压 20 V、输出电流 30 A、技术 Si。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录VNQ5050K-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 13 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 High Side。MAX1968EUI+
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-28
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 TSSOP-28 封装。MAX4940CTN+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-56
主要参数包括电源电压（最小值） 2.37 V、电源电压（最大值） 6 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Piezoelectric Horn Drivers、驱动器数 4 Driver，采用 TQFN-EP-56 封装。CSD95372BQ5MCT
Texas Instruments · 封装：VSON-CLIP-12
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 High Side、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是，采用 VSON-CLIP-12 封装。MC33883HEG
NXP / Freescale · 封装：SOIC-20W
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 55 V, 28 V、工作电源电压 5.5 V to 55 V, 5.5 V to 28 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-20W 封装。VND830SP-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 13 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSO-10 封装。AUIRS2092STR
Infineon / IR · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括输出电流 1 A、技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers、最大关断延迟时间 335 ns、湿敏性 是、型号别名 SP001576100，采用 SOIC-Narrow-16 封装。TPS28225DRBR
Texas Instruments · 封装：SON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 8.8 V、工作电源电压 4～8.8 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SON-8 封装。UCC27512DRSR
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 8 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-6 封装。MCP1402T-E/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOT-23-5 封装。MAX1968EUI+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Non-Inverting。MAX253ESA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。VND14NV04TR-E
STMicroelectronics · 封装：TO-252
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 TO-252 封装。VNS3NV04DPTR-E
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 40 V、电源电压（最大值） 55 V、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SO-8 封装。VN5160STR-E
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 41 V、工作电源电压 4.5～36 V、输出电流 5.4 A、技术 Si、类型 High Side，采用 SO-8 封装。DRV593VFPR
Texas Instruments · 封装：HLQFP-32
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、开发套件 DRV593EVM，采用 HLQFP-32 封装。ISL2111ARTZ-T
Renesas / Intersil · 封装：TDFN-EP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 9 ns，采用 TDFN-EP-10 封装。DRV594VFPR
Texas Instruments · 封装：HLQFP-32
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是、单件重量 0.006300 oz，采用 HLQFP-32 封装。IR2085STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 500 kHz、电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。