SI82390BB-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括工作电源电压 10～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。电源管理与驱动
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
134,686 条型号记录NCV8405ASTT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-223-3
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、配置 Single、耗散功率（Pd） 1 W、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-223-3 封装。UCC27517DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。PMD2001D,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
主要参数包括电源电压（最大值） 40 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 TSOP-6 封装。SID1132KQ
Power Integrations · 封装：eSOP-R16B
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 eSOP-R16B 封装。SI82398AD4-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Wide-16 封装。SI82395AB-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8238AD-D-IS3
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI8230AD-D-IS3
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI8230BD-D-IS3
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI82396AB-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI82398CB4-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括工作电源电压 12.8～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI82391BB-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括工作电源电压 10～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI82394CB4-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括工作电源电压 12.8～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI82394BB4-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括工作电源电压 10～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI82398BB4-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括工作电源电压 10～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。TBD62004AFNG,EL
Toshiba
主要参数包括技术 Si。TCK402G,LF
Toshiba · 封装：WCSP-6E-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电压 8.5 V、输出电流 38 uA、技术 Si、类型 Low Side，采用 WCSP-6E-6 封装。SI8235AD-D-IS3
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。FAN3100CSX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOT-23-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。