TBD62503AFWG,EL
Toshiba
主要参数包括技术 Si。电源管理与驱动
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
134,686 条型号记录SI8233AB-D-IM1
Silicon Labs · 封装：LGA-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 LGA-14 封装。SI82398CD4-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括工作电源电压 12.8～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Wide-16 封装。SI8235BB-D-IM1
Silicon Labs · 封装：LGA-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 LGA-14 封装。SI82391AB-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8234BB-D-IM1
Silicon Labs · 封装：LGA-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 LGA-14 封装。SI8234AB-D-IM1
Silicon Labs · 封装：LGA-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 LGA-14 封装。SI82394CD4-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括工作电源电压 12.8～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Wide-16 封装。SI8235AB-D-IM1
Silicon Labs · 封装：LGA-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 LGA-14 封装。SI8235BD-D-IS3
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI8233BD-D-IS3
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI82390CD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 12.8～24 V、输出电压 24 V、输出电流 4 A、技术 Si，采用 SOIC-Wide-16 封装。SI82395BD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括工作电源电压 10～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-Wide-16 封装。TBD62789APG
Toshiba · 封装：DIP-20
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 - 500 mA、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、输出数 8 Output、耗散功率（Pd） 1.76 W，采用 DIP-20 封装。SI8238BD-D-IS3
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI82394AD4-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Wide-16 封装。SI82398AB4-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI82394BD4-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括工作电源电压 10～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Wide-16 封装。SI82398BD4-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括工作电源电压 10～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Wide-16 封装。TBD62304AFNG,EL
Toshiba · 封装：SSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 50 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Driver ICs - Various，采用 SSOP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。