TBD62183AFNG,EL
Toshiba · 封装：SSOP-18
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电压 50 V、输出电流 50 mA、技术 Si、逻辑类型 CMOS，采用 SSOP-18 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录DGD2103MS8-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 20 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-8 封装。SI82390BD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 10～24 V、输出电压 24 V、输出电流 4 A、技术 Si，采用 SOIC-Wide-16 封装。SID1182KQ
Power Integrations · 封装：eSOP-R16B
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 eSOP-R16B 封装。SI8275AB-IM
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。SI82394BD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 10～24 V、输出电压 24 V、输出电流 4 A、技术 Si，采用 SOIC-Wide-16 封装。DGD1504S8-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SO-8 封装。TBD62786APG
Toshiba · 封装：PDIP-18
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 - 500 mA、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、输出数 8 Output、耗散功率（Pd） 1.47 W，采用 PDIP-18 封装。SI82394AD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电压 24 V、输出电流 4 A、技术 Si，采用 SOIC-Wide-16 封装。TBD62781AFWG,EL
Toshiba · 封装：PSOP-18
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 - 500 mA、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、输出数 8 Output、耗散功率（Pd） 1.31 W，采用 PSOP-18 封装。SID1102K
Power Integrations · 封装：eSOP-R16B
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS，采用 eSOP-R16B 封装。TBD62308AFG,EL
Toshiba · 封装：HSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 50 V、输出电流 1.25 A、技术 Si、产品 Driver ICs - Various，采用 HSOP-16 封装。TBD62183AFWG,EL
Toshiba · 封装：PSOP-18
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 50 mA、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、输出数 8 Output、耗散功率（Pd） 1.31 W，采用 PSOP-18 封装。SI82396BB-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括工作电源电压 10～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。TBD62786AFWG,EL
Toshiba · 封装：PSOP-18
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 - 500 mA、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、输出数 8 Output、耗散功率（Pd） 1.31 W，采用 PSOP-18 封装。TBD62786AFNG,EL
Toshiba · 封装：SSOP-18
主要参数包括电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 50 V、输出电压 50 V、输出电流 - 500 mA、技术 Si、逻辑类型 CMOS，采用 SSOP-18 封装。TBD62502AFNG,EL
Toshiba · 封装：$1.17
主要参数包括技术 Si，采用 $1.17 封装。TBD62089APG
Toshiba · 封装：DIP-20
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、输出数 8 Output、耗散功率（Pd） 1.76 W，采用 DIP-20 封装。SI8752AB-AS
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、单件重量 0.000035 oz。TBD62785AFWG,EL
Toshiba · 封装：PSOP-18
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 - 500 mA、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、输出数 8 Output、耗散功率（Pd） 1.31 W，采用 PSOP-18 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。