DGD2005S8-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 20 V、输出电流 2 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-8 封装。电源管理与驱动
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
134,686 条型号记录SID1112K
Power Integrations · 封装：eSOP-R16B
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 eSOP-R16B 封装。DGD0503FN-7
Diodes Incorporated · 封装：W-DFN3030-10
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 W-DFN3030-10 封装。DGD1503S8-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SO-8 封装。SI82395CD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括工作电源电压 12.8～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-Wide-16 封装。TBD62384APG
Toshiba · 封装：PDIP-18
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、输出数 8 Output、耗散功率（Pd） 1.47 W，采用 PDIP-18 封装。TBD62503APG
Toshiba
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.039154 oz。SI8275GBD-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。TBD62003AFNG,EL
Toshiba · 封装：Details
主要参数包括技术 Si，采用 Details 封装。SI8752AB-ISR
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。SI8274DB1-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。DGD2012S8-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 20 V、输出电流 20 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-8 封装。TBD62084AFNG,EL
Toshiba · 封装：SSOP-18
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 8 Driver，采用 SSOP-18 封装。DGD0506AFN-7
Diodes Incorporated · 封装：W-DFN3030-10
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 W-DFN3030-10 封装。SI8273BBD-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。TBD62781APG
Toshiba · 封装：PDIP-18
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 - 500 mA、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、输出数 8 Output、耗散功率（Pd） 1.47 W，采用 PDIP-18 封装。TBD62381APG
Toshiba · 封装：PDIP-18
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、输出数 8 Output、耗散功率（Pd） 1.47 W，采用 PDIP-18 封装。TBD62785APG
Toshiba · 封装：PDIP-18
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 - 500 mA、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、输出数 8 Output、耗散功率（Pd） 1.47 W，采用 PDIP-18 封装。SI8286BC-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。TBD62384AFWG,EL
Toshiba · 封装：PSOP-18
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、输出数 8 Output、耗散功率（Pd） 1.31 W，采用 PSOP-18 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。