HIP2106AIRZ
Renesas / Intersil · 封装：DFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 DFN-10 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录DGD05473FN-7
Diodes Incorporated · 封装：W-DFN3030-10
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 W-DFN3030-10 封装。SI8271DB-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。SI8273AB-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。MC34931SEK
NXP / Freescale · 封装：SOIC-32
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 36 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-32 封装。SI8273GB-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。SI8275GB-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。SI8274AB4D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。AN34092B
Panasonic · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电压 5 V、输出电流 1.3 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 QFN-16 封装。SI82397CD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括工作电源电压 12.8～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-Wide-16 封装。MC34931SEKR2
NXP / Freescale · 封装：SOIC-32
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 36 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-32 封装。SI8274GB1-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。ZXGD3113W6-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-26-6
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 40 V、输出电压 17.8 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOT-26-6 封装。DGD05463FN-7
Diodes Incorporated · 封装：W-DFN3030-10
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电压 50 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 W-DFN3030-10 封装。SID1152K
Power Integrations · 封装：eSOP-R16B
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V, 22 V、电源电压（最大值） 5.25 V, 28 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 eSOP-R16B 封装。TBD62084APG
Toshiba · 封装：PDIP-18
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 8 Driver，采用 PDIP-18 封装。TBD62003AFG,EL
Toshiba · 封装：SOP-16
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 7 Driver，采用 SOP-16 封装。TBD62381AFWG,EL
Toshiba · 封装：PSOP-18
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、输出数 8 Output、耗散功率（Pd） 1.34 W，采用 PSOP-18 封装。SI8273ABD-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。TBD62084AFG,EL
Toshiba · 封装：SOP-18
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 8 Driver，采用 SOP-18 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。