SI8274AB1-IM1
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TS61002-QFNR
Semtech · 封装：QFN-28
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 5 V、输出电压 3 V、输出电流 50 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 QFN-28 封装。TBD62304AFWG,EL
Toshiba · 封装：PSOP-16
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、输出数 7 Output、耗散功率（Pd） 1.25 W，采用 PSOP-16 封装。SI8275ABD-IM
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。DGD2113S16-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SO-16 封装。SIC632CD-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：PowerPak-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电压 5 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PowerPak-31 封装。DGD21844S14-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SO-14 封装。DGD2117S8-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、湿敏性 是，采用 SO-8 封装。SIC531ACD-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、商品名称 DrMOS VRPower。TBD62083AFNG,EL
Toshiba · 封装：SSOP-18
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 8 Driver，采用 SSOP-18 封装。TBD62783AFWG,EL
Toshiba
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.016932 oz。SIC632ACD-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、商品名称 DrMOS VRPower。DGD2136S28-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 350 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SO-28 封装。TBD62084AFWG,EL
Toshiba · 封装：PSOP-18
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 8 Driver，采用 PSOP-18 封装。SID1183K
Power Integrations · 封装：eSOP-R16B
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 eSOP-R16B 封装。DG2034EDQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：MSOP-10
主要参数包括电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、技术 Si、类型 Inverting、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 1 Driver，采用 MSOP-10 封装。TBD62783AFNG,EL
Toshiba · 封装：SSOP-18
主要参数包括电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 50 V、工作电源电压 2～50 V、输出电压 1.14 V、输出电流 - 500 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C，采用 SSOP-18 封装。TBD62783APG
Toshiba · 封装：PDIP-18
主要参数包括电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 50 V、工作电源电压 2～50 V、输出电压 1.14 V、输出电流 - 500 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C，采用 PDIP-18 封装。TBD62783AFG,EL
Toshiba · 封装：SOP-18
主要参数包括电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 50 V、工作电源电压 2～50 V、输出电压 1.14 V、输出电流 - 500 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C，采用 SOP-18 封装。TBD62083APG
Toshiba · 封装：PDIP-18
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 8 Driver，采用 PDIP-18 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。