1EDI20H12AHXUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 1EDI20H12AH SP001287470、单件重量 0.010124 oz。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录Si823H9BC-IS
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、湿敏性 是。SI8275ABD-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。SI8271DBD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。ISL78434AVEZ-T7A
Renesas / Intersil · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 HTSSOP-14 封装。ISL78444AVEZ-T7A
Renesas / Intersil · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 HTSSOP-14 封装。ISL78424AVEZ-T7A
Renesas / Intersil · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 HTSSOP-14 封装。SI8275AB-IM1
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。1EDI05I12AHXUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 1EDI05I12AH SP001287432。SI8271GBD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。1EDI20I12MHXUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 1EDI20I12MH SP001287436。1EDI20I12AHXUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 1EDI20I12AH SP001287430。ADUM4121-1TRIZ-EP
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 7.5～35 V、输出电流 2.3 A、类型 Inverting, Non-Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 SOIC-8 封装。NCP5106AMNTWG
ON Semiconductor · 封装：DFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 DFN-10 封装。LTC7000EMSE#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 135 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-16 封装。SI8275DB-IM1
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。SI8275ABD-IM1
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。VOD3120AB-T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
主要参数包括电源电压（最小值） 15 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 35 V、输出电流 2.5 A、技术 GaAs、类型 High Side, Low Side，采用 SMD-8 封装。SI8275DBD-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。Si823H2BB-IS1
Silicon Labs
主要参数包括产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、配置 Dual、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。