ADUM4121-1CRIZ
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6.5 V、输出电压 11.6 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录DRV8323HRTAT
Texas Instruments · 封装：WQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 60 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 WQFN-40 封装。SI8273AB-IM1
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。NCP81071CMNTXG
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.000691 oz。MIC4608YM
Microchip Technology · 封装：SOIC-14
主要参数包括技术 Si，采用 SOIC-14 封装。FAN73896MX
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、单件重量 0.042540 oz。CSD95377Q4MT
Texas Instruments · 封装：VSON-CLIP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5 V、输出电流 30 A、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si，采用 VSON-CLIP-8 封装。MCP14A0154-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm，采用 SOIC-8 封装。MIC4607-1YML-T5
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si。NCP5109AMNTWG
ON Semiconductor · 封装：DFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 DFN-10 封装。MCP14A0154-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。FDMF3033
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 5 V、输出电流 60 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PQFN-31 封装。ISO5452QDWQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.25 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 15～30 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。1EDI60I12AHXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.1 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 10 A、技术 Si、类型 High Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0153-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0155-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。LTC7004EMSE#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-10
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 60 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-10 封装。FDMF3039
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-22
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 12 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PQFN-22 封装。MCP14A0153-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。VOD3120AB-VT
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
主要参数包括电源电压（最小值） 15 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 35 V、输出电流 2.5 A、技术 GaAs、类型 High Side, Low Side，采用 SMD-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。