DRV8320HRTVT
Texas Instruments · 封装：WQFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 60 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 WQFN-32 封装。电源管理与驱动
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
134,686 条型号记录UCC5390ECDR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 13.2～33 V、输出电流 10 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC27531DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 140 C、特性 Split Output、单件重量 0.002988 oz，采用 SOIC-8 封装。1EDI60H12AHXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.1 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 10 A、技术 Si、类型 High Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。FAN73912MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 20 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。UCC5320SCD
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 13.2～33 V、输出电流 4.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。L6494LD
STMicroelectronics · 封装：SO-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 600 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-14 封装。ADUM4121BRIZ
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6.5 V、输出电压 7.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。ADUM4120BRIZ
Analog Devices · 封装：SOIC-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 7.3 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-6 封装。UCC5390ECD
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 13.2～33 V、输出电流 10 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。ISO5852SDW
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.25 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 15～30 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。UCC27712D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 2.8 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。UCC5390SCD
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 13.2～33 V、输出电流 10 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC21521DW
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。PWD13F60
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 12 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 Full-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers。IRS2008SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。NCV7240ADPR2G
ON Semiconductor · 封装：SSOP-24
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 1.3 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 Relay Drivers、驱动器数 8 Driver，采用 SSOP-24 封装。UCC27531D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。NCP81074ADR2G
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.002539 oz。UCC20225NPLT
Texas Instruments · 封装：VLGA-13
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 9.2～25 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 VLGA-13 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。