NCP81151BMNTBG
ON Semiconductor · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 DFN-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录NCP81155MNTXG
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.001041 oz。MCP14A0154T-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.1 mm、长度 3 mm、宽度 3 mm，采用 MSOP-8 封装。NCP81158MNTXG
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si。NCP81158DMNTXG
ON Semiconductor · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 DFN-8 封装。ISO5851QDWQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 15～30 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。MIC4607-2YML-T5
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si。MCP14A0155T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括技术 Si、高度 0.75 mm、长度 3 mm、宽度 2 mm，采用 TDFN-8 封装。SI8275BB-IM1
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。Si823H9CC-IS
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。MP1921GQ-B-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：QFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2.5 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 QFN-8 封装。NCP81074BMNTBG
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si。NCP81071BMNTXG
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.000691 oz。NCP81074BDR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 10 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。DGD0227S8-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SO-8 封装。L6389ED
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si。UCC24636DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 3.75 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、产品 Driver ICs - Various，采用 SOT-23-6 封装。2EDN7523RXUMA1
Infineon Technologies · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TSSOP-8 封装。2EDN8523FXTMA1
Infineon Technologies · 封装：DSO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DSO-8 封装。L9301-TR
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-36
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 2.2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Driver ICs - Various，采用 PowerSSO-36 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。