2ED020I12FAXUMA2
Infineon Technologies · 封装：SOIC-36
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 2ED020I12FA SP001054678、单件重量 0.020459 oz，采用 SOIC-36 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录DRV8323RHRGZR
Texas Instruments · 封装：VQFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 60 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 VQFN-48 封装。NCP5183DR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.3 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。UCC21225ANPLR
Texas Instruments · 封装：VLGA-13
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 6～25 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 VLGA-13 封装。UCC5320ECDR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 13.2～33 V、输出电流 4.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC27712QDRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 2.8 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。IRS2008STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。DRV8323HRTAR
Texas Instruments · 封装：WQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 60 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 WQFN-40 封装。FL73282MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SO-8 封装。ISO5852SQDWRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.25 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 15～30 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。DRV8323SRTAT
Texas Instruments · 封装：WQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 60 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 WQFN-40 封装。UCC27212DPRR
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 17 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 WSON-10 封装。MIC4606-2YTS-TR
Microchip Technology · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5.25 V、电源电压（最大值） 16 V、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 4 Driver、上升时间 20 ns，采用 TSSOP-16 封装。LTC7001IMSE#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-10
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 135 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-10 封装。DRV8320SRTVR
Texas Instruments · 封装：WQFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 60 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 WQFN-32 封装。FAN73895MX
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、单件重量 0.042540 oz。UCC21520ADWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 30 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SOIC-16 封装。VND7004AYTR
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-36
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电流 100 A、技术 Si、类型 High Side、产品 Driver ICs - Various，采用 PowerSSO-36 封装。HV7321K6-G
Microchip Technology · 封装：VQFN-64
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电压 80 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 VQFN-64 封装。VOD3120AD
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 15 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 35 V、输出电流 2.5 A、技术 GaAs、类型 High Side, Low Side，采用 DIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。