FDMF8811
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-36
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电流 20 A、技术 Si、类型 Full-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 PQFN-36 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录IRS2807DSTRPBF
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、商品名称 ISOFACE、型号别名 SP001543144。2EDN7523FXTMA1
Infineon Technologies · 封装：DSO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DSO-8 封装。2EDN8523RXUMA1
Infineon Technologies · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TSSOP-8 封装。2EDN8524RXUMA1
Infineon Technologies · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TSSOP-8 封装。2EDN7524RXUMA1
Infineon Technologies · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TSSOP-8 封装。UCC21520ADW
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 6.5～25 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。UCC21520DW
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、配置 Dual，采用 SOIC-16 封装。DRV8323RSRGZT
Texas Instruments · 封装：VQFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 60 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 VQFN-48 封装。ISO5852SDWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.25 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 15～30 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。UCC27212AQDDARQ1
Texas Instruments · 封装：SO-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 17 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-PowerPad-8 封装。LM5113QDPRRQ1
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 WSON-10 封装。LMG1205YFXT
Texas Instruments · 封装：DSBGA-12
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 DSBGA-12 封装。FDMF3170
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-39
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 12 V、输出电流 70 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PQFN-39 封装。IX4340NE
IXYS · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TPL7407LAPWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 30 V、输出电流 600 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 TSSOP-16 封装。LMG1205YFXR
Texas Instruments · 封装：DSBGA-12
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 DSBGA-12 封装。FAN7191MX-F085
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101、湿敏性 是、型号别名 FAN7191MX_F085、单件重量 0.008127 oz。AUIR3241STR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 36 V、输出电流 350 mA、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 SOIC-8 封装。UCC27712DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。