MCP14A0451-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录CSD95377Q4M
Texas Instruments · 封装：VSON-CLIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 30 A、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 VSON-CLIP-8 封装。1ED020I12FA2XUMA2
Infineon Technologies · 封装：SOIC-20
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 1ED020I12FA2 SP001080574、单件重量 0.019805 oz，采用 SOIC-20 封装。UCC5320SCDR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 13.2～33 V、输出电流 4.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。ISO5452QDWRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.25 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 15～30 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。LTC7000MPMSE#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 135 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-16 封装。1ED020I12-B2
Infineon Technologies · 封装：DSO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 20 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 DSO-16 封装。LMG5200MOFT
Texas Instruments · 封装：QFM-9
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 10 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 氮化镓（GaN）、类型 High Side, Low Side，采用 QFM-9 封装。NCP81071AMNTXG
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si。MCP14A0602-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 0.025 V, 4.475 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 MSOP-8 封装。MCP14A0601-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 0.025 V, 4.475 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 MSOP-8 封装。IX2120B
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 15 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 15～20 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-28 封装。CSD95472Q5MC
Texas Instruments · 封装：VSON-12
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 5.5 V、输出电流 60 A、工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si，采用 VSON-12 封装。1EDI2002AS
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 1EDI2002ASXUMA2 SP001362894。UCC27211AQDDARQ1
Texas Instruments · 封装：SO-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 17 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-PowerPad-8 封装。FDMF3180
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-39
主要参数包括输出电压 0.8 V、输出电流 70 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 PQFN-39 封装。CSD97396Q4M
Texas Instruments · 封装：VSON-CLIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 30 A、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 VSON-CLIP-8 封装。1ED020I12FTA
Infineon Technologies · 封装：DSO-20
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 6.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 DSO-20 封装。2ED020I12-F2
Infineon Technologies · 封装：DSO-36
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 6.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side，采用 DSO-36 封装。1ED020I12FA2
Infineon Technologies · 封装：DSO-20
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 6.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 DSO-20 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。