2ED2304S06FXUMA1
Infineon Technologies · 封装：PG-DSO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 17.5 V、输出电压 10～20 V、输出电流 700 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 PG-DSO-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录1EDC40I12AHXUMA1
Infineon Technologies · 封装：DSO-8-59
主要参数包括电源电压（最小值） 3.1 V、电源电压（最大值） 17 V、输出电压 13～35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side，采用 DSO-8-59 封装。VNH9013YTR
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-36
主要参数包括电源电压（最大值） 80 V、输出电流 40 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 4 Driver，采用 PowerSSO-36 封装。1EDC05I12AHXUMA1
Infineon Technologies · 封装：DSO-8-59
主要参数包括电源电压（最小值） 3.1 V、电源电压（最大值） 17 V、输出电压 13～35 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side，采用 DSO-8-59 封装。STGAP2SMTR
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 1700 V、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Isolated Gate Drivers，采用 SO-8 封装。NCP81080MNTBG
ON Semiconductor · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 800 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL，采用 DFN-8 封装。1EDC20H12AHXUMA1
Infineon Technologies · 封装：DSO-8-59
主要参数包括电源电压（最小值） 3.1 V、电源电压（最大值） 17 V、输出电压 13～35 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side，采用 DSO-8-59 封装。UCC5310MCDWVR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 13.2～33 V、输出电流 4.3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0454-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-8 封装。1EDC20I12MHXUMA1
Infineon Technologies · 封装：DSO-8-59
主要参数包括电源电压（最小值） 3.1 V、电源电压（最大值） 17 V、输出电压 13～18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side，采用 DSO-8-59 封装。MCP14A0455-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 SOIC-8 封装。UCC5320SCDWV
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 13.2～33 V、输出电流 4.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0455-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-8 封装。MCP14A0453-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0453-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-8 封装。MCP14A0303-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 TDFN-8 封装。MCP14A0454-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0451T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0452-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。MCP14A0451-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。