NCP51705MNTXG
ON Semiconductor · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 22 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 TTL，采用 QFN-24 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录UCC27710DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 22 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。UCC21222QDQ1
Texas Instruments · 封装：SOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOP-16 封装。NCP51530BDR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 17 V、输出电压 17 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。LMG1020YFFT
Texas Instruments · 封装：DSBGA-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 7 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 DSBGA-6 封装。UCC5350SBDR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 9.5～33 V、输出电流 10 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。1EDC10I12MHXUMA1
Infineon Technologies · 封装：DSO-8-59
主要参数包括电源电压（最小值） 3.1 V、电源电压（最大值） 17 V、输出电压 13～18 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High Side，采用 DSO-8-59 封装。NCD5702DR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电流 7.8 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。MCP14A0303T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 SOIC-8 封装。IM818SCCXKMA1
Infineon Technologies · 封装：DIP-24
主要参数包括电源电压（最小值） 13.5 V、电源电压（最大值） 18.5 V、技术 Si、逻辑类型 CMOS, LSTTL、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 6 Driver，采用 DIP-24 封装。MCP14A0303T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 TDFN-8 封装。NCD5703BDR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 15 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。1ED44176N01FXUMA1
Infineon Technologies · 封装：PG-DSO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 12.7 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.75 A、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, LSTTL，采用 PG-DSO-8 封装。1EDC20I12AHXUMA1
Infineon Technologies · 封装：DSO-8-59
主要参数包括电源电压（最小值） 3.1 V、电源电压（最大值） 17 V、输出电压 13～35 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side，采用 DSO-8-59 封装。NCD5703CDR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 15 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0455T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 SOIC-8 封装。NCD5703ADR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 15 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。NCV5701ADR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 5 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。NCV7240BDPR2G
ON Semiconductor · 封装：SSOP-24
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 1.3 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 Relay Drivers、驱动器数 8 Driver，采用 SSOP-24 封装。2EDS8165HXUMA1
Infineon Technologies · 封装：DSO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.5 V、输出电压 4.5～20 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 DSO-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。