芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

134,686 条型号记录

每页 20 条

MCP14A0902-E/SN

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 0.025 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。

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MCP14A0301T-E/KBA

Microchip Technology · 封装：WDFN-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 WDFN-8 封装。

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ADUM4122BRIZ

Analog Devices · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 7.5～35 V、输出电流 2 A、逻辑类型 CMOS、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。

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ADUM4122ARIZ

Analog Devices · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 4.5～35 V、输出电流 2 A、逻辑类型 CMOS、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。

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MCP14A0302-E/SN

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-8 封装。

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STDRIVE601TR

STMicroelectronics · 封装：SO-28

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SO-28 封装。

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NCP51530BMNTWG

ON Semiconductor · 封装：DFN-10

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 17 V、输出电压 17 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 DFN-10 封装。

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TLE75004EPDXUMA1

Infineon Technologies · 封装：PG-TSDSO-14

主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 0.4～5.5 V、输出电流 470 mA、技术 Si、类型 Low Side，采用 PG-TSDSO-14 封装。

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2EDN8524GXTMA1

Infineon Technologies

主要参数包括技术 Si、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 2EDN8524G SP001490806。

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MCP14A0455T-E/MS

Microchip Technology · 封装：MSOP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-8 封装。

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MCP14A0454T-E/MS

Microchip Technology · 封装：MSOP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-8 封装。

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MCP14A0453T-E/SN

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 SOIC-8 封装。

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MCP14A0453T-E/MS

Microchip Technology · 封装：MSOP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-8 封装。

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UCC27511ADBVR

Texas Instruments · 封装：SOT-23-6

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 20 V、输出电流 8 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。

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TDA21472AUMA1

Infineon Technologies

主要参数包括湿敏性是、型号别名 SP001645118 TDA21472。

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UCC21520QDWRQ1

Texas Instruments · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。

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LMG1020YFFR

Texas Instruments · 封装：DSBGA-6

主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 7 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 DSBGA-6 封装。

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NCV7520MWTXG

ON Semiconductor · 封装：QFN-32

主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电压 3.3 V, 5 V、输出电流 26.25 mA、技术 Si、类型 Low Side，采用 QFN-32 封装。

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IRS2817DSTRPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 20 V、输出电流 350 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。

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NCV7721D2R2G

ON Semiconductor · 封装：SOIC-14

主要参数包括电源电压（最小值） 3.15 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 1.1 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-14 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。