MCP14A0901T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 0.025 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 TDFN-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MCP14A0901T-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 0.025 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 MSOP-8 封装。MCP14A0902T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 0.025 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 TDFN-8 封装。NCV5702DR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。MCP14A0301T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-8 封装。UCC20225QNPLTQ1
Texas Instruments
Gate Drivers Isolated dual-channel gate driver with single input in LGA for automotive 48V systems 13-VLGA -40 to 125NCD57001DWR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电压 0.8 V、输出电流 6 A、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。1EDF5673KXUMA1
Infineon Technologies · 封装：LGA-13
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.5 V、输出电压 8 V、输出电流 8 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 High Side，采用 LGA-13 封装。PWD5F60TR
STMicroelectronics · 封装：VFQFPN-15
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 15 V、技术 Si、类型 Full-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 VFQFPN-15 封装。1EDS5663HXUMA1
Infineon Technologies · 封装：DSO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.5 V、输出电压 8 V、输出电流 8 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 High Side，采用 DSO-16 封装。NCV5703BDR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。LMG3411R070RWHT
Texas Instruments · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 5 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 QFN-32 封装。MCP14A0902T-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 0.025 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 MSOP-8 封装。1EDF5673FXUMA1
Infineon Technologies · 封装：DSO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.5 V、输出电压 8 V、输出电流 8 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 High Side，采用 DSO-16 封装。MCP14A0302T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-8 封装。NCV5703CDR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0902T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 0.025 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0901T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 0.025 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-8 封装。NCV57001DWR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 6 A、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-16 封装。2EDF7175FXUMA1
Infineon Technologies · 封装：DSO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.5 V、输出电压 4.5～20 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 DSO-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。