DLPA1000YFFR
Texas Instruments · 封装：DSBGA-49
主要参数包括工作电源电压 3.6 V、显示类型 DLP、类型 PMIC/RGB LED Driver、产品 Digital Micromirror Devices、最小工作温度 - 30 C、最大工作温度 + 85 C，采用 DSBGA-49 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录DLPC4422ZPC
Texas Instruments · 封装：PGBA-516
主要参数包括工作频率 20 MHz、显示类型 UHD、类型 DLP Display Controller、产品 Controllers、湿敏性 是、商品名称 DLP，采用 PGBA-516 封装。DLP9000BFLS
Texas Instruments · 封装：CLGA-365
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、显示类型 DLP、类型 Type A DMDs、产品 Digital Micromirror Devices、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 CLGA-365 封装。DLP6500BFYE
Texas Instruments · 封装：CLGA-203
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、显示类型 DLP、类型 MVSP S600 DMD、产品 Digital Micromirror Devices、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 90 C，采用 CLGA-203 封装。BD92111F-GE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-18
主要参数包括工作电源电压 8～18 V、工作频率 30～200 kHz、显示类型 LCD、类型 PFC Direct Current Resonance、产品 Drivers、最小工作温度 - 40 C，采用 SOP-18 封装。HV860K7-G
Microchip Technology · 封装：QFN-12
主要参数包括工作电源电压 4.5 V、产品 Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 0.73 mm、长度 3 mm，采用 QFN-12 封装。UBA2014T/N1,518
NXP Semiconductors · 封装：SOIC-16
主要参数包括工作电源电压 6 V、显示类型 CCFL、产品 Drivers、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 80 C、高度 1.45 mm，采用 SOIC-16 封装。HV809LG-G
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括工作电源电压 12 V、最大输出电流 4 mA、产品 Drivers、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-8 封装。IRS2982STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括工作电源电压 18 V、电源电压（最大值） 18 V、最大输出电流 600 mA、工作频率 320 kHz、显示类型 LED、类型 LED/SMPS Flyback Control IC，采用 SOIC-8 封装。HV853K7-G
Microchip Technology · 封装：DFN-10
主要参数包括工作电源电压 5 V、产品 Drivers、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、高度 0.73 mm、长度 3 mm，采用 DFN-10 封装。HV852MG-G
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括工作电源电压 5 V、产品 Drivers、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、高度 0.85 mm、长度 3 mm，采用 MSOP-8 封装。HV850MG-G
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括工作电源电压 4.2 V、产品 Drivers、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、高度 0.91 mm、长度 2.95 mm，采用 MSOP-8 封装。HV857LK7-G
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括工作电源电压 5 V、产品 Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.1 mm、长度 3 mm，采用 DFN-8 封装。AP3041MTR-G1
Diodes Incorporated · 封装：SOIC-16
主要参数包括工作电源电压 5～27 V、工作频率 100 kHz to 1 MHz、显示类型 LCD、类型 Boost Controller for WLED Driver、产品 Controllers、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-16 封装。DLP9500UVFLN
Texas Instruments · 封装：LCCC-355
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 8.5 V、工作频率 400 MHz、显示类型 FHD 1080p、产品 Digital Micromirror Devices、高度 7.0358 mm、长度 42.164 mm，采用 LCCC-355 封装。S1D13L01F00A100
Epson ICs · 封装：QFP-128
主要参数包括工作电源电压 1.5 V, 1.8 V, 3.3 V、工作频率 66 MHz、显示类型 LCD、产品 Controllers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 QFP-128 封装。S1D13781F00A100
Epson ICs · 封装：QFP-100
主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 3.3 V、工作频率 66 MHz、显示类型 LCD、产品 Controllers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 QFP-100 封装。S1D13517F00A100
Epson ICs · 封装：QFP-128
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、工作频率 80 MHz、显示类型 LCD、产品 Controllers、湿敏性 是、单件重量 0.032985 oz，采用 QFP-128 封装。TFP401AIPZPRQ1
Texas Instruments · 封装：HTQFP-100
主要参数包括显示类型 PANELBUS DVI Receiver 165 MHZ, HSYNC FIX、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、单件重量 0.017990 oz，采用 HTQFP-100 封装。S1D13706F00A200
Epson ICs · 封装：TQFP-100
主要参数包括工作电源电压 1.8 V to 2.2 V, 3 V to 3.6 V、工作频率 33 MHz、显示类型 LCD、产品 Controllers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TQFP-100 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。