ADPL86611ATB+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-EP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 60 V、电源电压（最小值） 4.5 V、产品 Current Limiter、工作电源电流 890 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 TDFN-EP-10 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录ADPL86612ATB+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-EP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 60 V、电源电压（最小值） 4.5 V、产品 Current Limiter、工作电源电流 890 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 TDFN-EP-10 封装。ADPL86612ATB+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-EP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 60 V、电源电压（最小值） 4.5 V、产品 Current Limiter、工作电源电流 890 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 TDFN-EP-10 封装。DS3922T+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-24
主要参数包括原产国家或地区 TH、型号别名 DS3922T 90-3922T+000、单件重量 0.010092 oz，采用 TQFN-24 封装。DS1842N+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-EP-14
主要参数包括电源电压（最大值） 11 V、电源电压（最小值） 0 V、产品 Current Monitors、检测方式 High Side、工作电源电流 2 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 TDFN-EP-14 封装。DS3920T-001+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最大值） 76 V、电源电压（最小值） 2.97 V、产品 Current Monitors、检测方式 High or Low Side、工作电源电流 4.4 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 SOT-23-6 封装。DS3920T-002+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最大值） 76 V、电源电压（最小值） 2.97 V、产品 Current Monitors、检测方式 High or Low Side、工作电源电流 4.4 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 SOT-23-6 封装。DS3923T+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.85 V、产品 Current Monitors、检测方式 High Side、工作电源电流 8 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 TQFN-24 封装。DS3923T+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-24
主要参数包括原产国家或地区 TH、型号别名 DS3923T 90-3923T+T00，采用 TQFN-24 封装。LM334S8#PBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 800 mV、输出电流 10 uA、产品 Current Monitors、检测方式 High or Low Side、工作电源电流 1 uA to 10 mA，采用 SOIC-8 封装。LM334S8#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括工作电源电流 280 uA、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-8 封装。EV40S84A
Microchip Technology
Current & Power Monitors & Regulators PAC1944 4 Ch High Side DC Power MonitorPAC1711T-1E/3P
Microchip Technology · 封装：VDFN-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、产品 Power Monitor with Accumulator、检测方式 High Side、工作电源电流 200 uA、精度 1 %，采用 VDFN-8 封装。PAC1711T-1E/3PK
Microchip Technology · 封装：VDFN-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、产品 Power Monitor with Accumulator、检测方式 High Side、工作电源电流 200 uA、精度 1 %，采用 VDFN-8 封装。PAC1711T-1V/3PK
Microchip Technology · 封装：VDFN-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、产品 Power Monitor with Accumulator、检测方式 High Side、工作电源电流 200 uA、精度 1 %，采用 VDFN-8 封装。PAC1711T-2E/9Q
Microchip Technology · 封装：VDFN-10
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、产品 Power Monitor with Accumulator、检测方式 High or Low Side、工作电源电流 200 uA、精度 1 %，采用 VDFN-10 封装。MP5099GDT-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：TQFN-10
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V, 13.2 V、电源电压（最小值） 4.5 V, 10.8 V、输出电流 4 A、产品 Current Limit Switches、工作电源电流 10 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 TQFN-10 封装。MP5099GDT-Z
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：TQFN-10
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V, 13.2 V、电源电压（最小值） 4.5 V, 10.8 V、输出电流 4 A、产品 Current Limit Switches、工作电源电流 10 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 TQFN-10 封装。NJM17431F24A-TE1
Nisshinbo · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 2.5 V、输出电流 100 mA、产品 Current Regulators、检测方式 High Side、工作电源电流 250 nA，采用 SOT-23-5 封装。STEF12H60MAPUR
STMicroelectronics · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 15 V、电源电压（最小值） 8 V、输出电流 60 A、产品 Current Monitors、检测方式 High or Low Side、工作电源电流 650 uA，采用 QFN-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。