LTC2970HUFD-1#TRPBF
Analog Devices · 封装:QFN-24
主要参数包括工作电源电流 3.7 mA,采用 QFN-24 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Analog Devices · 封装:QFN-24
主要参数包括工作电源电流 3.7 mA,采用 QFN-24 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-16
主要参数包括工作电源电流 1.1 mA、耗散功率(Pd) 5.5 mW,采用 MSOP-16 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-12
主要参数包括工作电源电流 0.8 mA,采用 MSOP-12 封装。Analog Devices · 封装:SO-8
主要参数包括工作电源电流 0.7 mA,采用 SO-8 封装。Analog Devices · 封装:QFN-12
主要参数包括工作电源电流 0.8 mA,采用 QFN-12 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-12
主要参数包括工作电源电流 0.8 mA,采用 MSOP-12 封装。Analog Devices · 封装:QFN-12
主要参数包括工作电源电流 0.8 mA,采用 QFN-12 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-16
主要参数包括工作电源电流 1.1 mA、耗散功率(Pd) 5.5 mW,采用 MSOP-16 封装。Analog Devices · 封装:QFN-32
主要参数包括电源电压(最大值) 15 V、电源电压(最小值) 4.5 V、产品 Power Monitors、检测方式 High Side、工作电源电流 6 mA、精度 0.5 %,采用 QFN-32 封装。Analog Devices · 封装:QFN-64
主要参数包括工作电源电流 10 mA,采用 QFN-64 封装。Analog Devices · 封装:QFN-64
采用 QFN-64 封装。Analog Devices · 封装:QFN-64
主要参数包括工作电源电流 10 mA,采用 QFN-64 封装。Analog Devices · 封装:QFN-64
主要参数包括工作电源电流 10 mA,采用 QFN-64 封装。Analog Devices · 封装:QFN-64
采用 QFN-64 封装。Analog Devices · 封装:QFN-64
主要参数包括工作电源电流 10 mA,采用 QFN-64 封装。Analog Devices · 封装:QFN-64
主要参数包括工作电源电流 10 mA,采用 QFN-64 封装。Microchip Technology / Atmel
Current & Power Monitors & Regulators Poly-Phase AFE+ MCU solutionCirrus Logic · 封装:QFN-28
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 Analog Front End、工作电源电流 3.9 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 QFN-28 封装。Cirrus Logic · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 2.6 V、电源电压(最小值) 2.4 V、输出电压 2.4~2.6 V、产品 Power Monitors、工作电源电流 25 nA、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。Cirrus Logic · 封装:QFN-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 Analog Front End、工作电源电流 3.9 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 QFN-24 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。