INA202AIDGKR
Texas Instruments · 封装：VSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 18 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～18 V、类型 High Side Measurement Current Shunt Monitor、产品 Current Monitors、检测方式 High Side，采用 VSSOP-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录ZXCT1086E5TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-25
主要参数包括电源电压（最大值） 60 V、电源电压（最小值） 2.7 V、产品 Current Monitors、工作电源电流 2 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SOT-25 封装。ZXCT1082E5TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-25
主要参数包括电源电压（最大值） 60 V、电源电压（最小值） 2.7 V、产品 Current Monitors、检测方式 High Side、工作电源电流 600 nA、最小工作温度 - 40 C，采用 SOT-25 封装。PAC1720-1-AIA-TR
Microchip Technology · 封装：DFN-10
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、产品 Current and Power Monitors、检测方式 High Side、工作电源电流 525 uA、精度 1 %，采用 DFN-10 封装。ZXCT1010E5TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最大值） 20 V、电源电压（最小值） 2.5 V、产品 Current Monitors、工作电源电流 18 uA、精度 2.5 %、最小工作温度 - 40 C，采用 SOT-23-5 封装。ZXCT1110W5-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-25-5
主要参数包括电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 2.5 V、输出电流 2.015 mA、产品 Current Monitors、检测方式 High Side、工作电源电流 19 nA，采用 SOT-25-5 封装。NCP349MNAETBG
ON Semiconductor · 封装：DFN-6
主要参数包括电源电压（最大值） 28 V、电源电压（最小值） 1.2 V、类型 Voltage Monitors、产品 Power Monitors、检测方式 High Side、工作电源电流 70 uA，采用 DFN-6 封装。NCP361MUTBG
ON Semiconductor · 封装：UDFN-6
主要参数包括电源电压（最大值） 20 V、电源电压（最小值） 1.2 V、类型 Voltage Supervisory、产品 Power Monitors、检测方式 High Side、工作电源电流 20 uA，采用 UDFN-6 封装。ZXCT1107SA-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
主要参数包括电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 2.5 V、输出电流 2.015 mA、产品 Current Monitors、检测方式 High Side、工作电源电流 19 nA，采用 SOT-23-3 封装。PAC1710-1-AIA-TR
Microchip Technology · 封装：DFN-10
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、产品 Current and Power Monitors、检测方式 High Side、工作电源电流 360 uA、精度 1 %，采用 DFN-10 封装。NCP361SNT1G
ON Semiconductor · 封装：TSOP-5
主要参数包括电源电压（最大值） 20 V、电源电压（最小值） 1.2 V、类型 Voltage Supervisory、产品 Power Monitors、检测方式 High Side、工作电源电流 20 uA，采用 TSOP-5 封装。ZXCT1009FTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
主要参数包括电源电压（最大值） 20 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作电源电压 20 V、类型 Current Monitor、产品 Current Monitors、工作电源电流 15 uA，采用 SOT-23-3 封装。IR25750LTRPBF
Infineon / IR · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最大值） 600 V、电源电压（最小值） - 3 V、产品 Current Monitors、检测方式 High Side、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SOT-23-5 封装。INA200AIDR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 18 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、类型 High Side Current Shunt Monitors、产品 Current Monitors，采用 SOIC-8 封装。IXCY10M90S
IXYS · 封装：TO-252-3
主要参数包括电源电压（最大值） 20 V、电源电压（最小值） 900 V、产品 Current Regulators、检测方式 High Side、工作电源电流 25 uA、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-252-3 封装。IXCP10M90S
IXYS · 封装：TO-220-3
主要参数包括电源电压（最大值） 900 V、电源电压（最小值） 900 V、产品 Current Regulators、检测方式 High Side、工作电源电流 1～100 mA、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-220-3 封装。INA201AIDGKR
Texas Instruments · 封装：VSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 18 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～18 V、类型 High Side Measurement Current Shunt Monitor、产品 Current Monitors、检测方式 High Side，采用 VSSOP-8 封装。ZXCT1084E5TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-25
主要参数包括电源电压（最大值） 60 V、电源电压（最小值） 2.7 V、产品 Current Monitors、工作电源电流 2 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SOT-25 封装。STPM10BTR
STMicroelectronics · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3.165 V、类型 Single-Phase Energy Metering IC、产品 Power Monitors、工作电源电流 5 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-20 封装。INA198AQDBVRQ1
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最大值） 18 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 3 V, 5 V, 9 V, 12 V, 15 V、类型 Current Shunt Monitor、产品 Current Monitors、检测方式 Low Side，采用 SOT-23-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。