DIO5509TN6
DIOO Microcircuits
主要参数包括产品 Battery Chargers。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录DIO5090BXM10
DIOO Microcircuits
Battery Management 36V High Withstand Voltage, 1A Linear Charging IC, JEITA Specification Compliant, No Charge A: T>50C; B/D: T>45CDIO5060A440CN10
DIOO Microcircuits · 封装：DFN-10
主要参数包括工作电源电压 4.35～6.5 V、输出电流 1 A、电池类型 Lithium-ion、产品 Battery Chargers、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 DFN-10 封装。RT9490WSC
Richtek · 封装：WLCSP -56
主要参数包括工作电源电压 3.6～24 V、输出电压 5 V、输出电流 5 A、电池类型 Lithium-ion, Lithium Polymer、产品 Charge Management、原产国家或地区 中国台湾，采用 WLCSP -56 封装。RT9492GQVF
Richtek · 封装：VQFN-29
主要参数包括工作电源电压 3.6～24 V、输出电压 5.2 V、输出电流 5 A、电池类型 Lithium Polymer、产品 Buck-Boost Switching Battery Chargers、原产国家或地区 中国台湾，采用 VQFN-29 封装。RT9492GQVF(2)
Richtek
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、型号别名 RT9492FN-B、单件重量 0.001209 oz。RT9525GQW
Richtek · 封装：WQFN-16
主要参数包括工作电源电压 4.45～6 V、输出电压 4.2 V、电池类型 Lithium-ion、产品 Charge Management、原产国家或地区 中国台湾、最大工作温度 + 85 C，采用 WQFN-16 封装。MC33665ATF4AER2
NXP Semiconductors · 封装：LQFP-48
主要参数包括产品 Charge Management、原产国家或地区 中国、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 40 C、型号别名 935437557528，采用 LQFP-48 封装。MBMI6002CAAER2
NXP Semiconductors · 封装：LQFP-48
主要参数包括工作电源电压 - 300 mV to 5.8 V、产品 Battery Management、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 40 C、湿敏性 是、型号别名 935465161528，采用 LQFP-48 封装。MBMI7018TA1AER2
NXP Semiconductors · 封装：LQFP-64
主要参数包括工作电源电压 9～90 V、电池类型 Lithium-ion、原产国家或地区 中国、最大工作温度 + 60 C、最小工作温度 - 20 C、型号别名 935464201528，采用 LQFP-64 封装。DS2712Z+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
主要参数包括工作电源电压 4～5.5 V、输出电压 750 mV、输出电流 20 mA、电池类型 Nickel Cadmium (NiCd), Nickel Metal Hydride (NiMH)、产品 Charge Management、原产国家或地区 马来西亚，采用 SOIC-16 封装。ADP2291ARMZ-R7
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括工作电源电压 4.5～12 V、输出电压 4.2 V、输出电流 1.5 A、电池类型 Lithium-ion、产品 Charge Management、原产国家或地区 马来西亚，采用 MSOP-8 封装。ADP5061ACBZ-2-R7
Analog Devices · 封装：WLCSP-20
主要参数包括工作电源电压 4～6.7 V、电池类型 Lithium-ion、产品 Charge Management、原产国家或地区 中国、开发套件 ADP5061CB-EVALZ、最大工作温度 + 125 C，采用 WLCSP-20 封装。ADP5061ACBZ-4-R7
Analog Devices · 封装：WLCSP-20
主要参数包括工作电源电压 4～6.7 V、输出电压 5.5 V、输出电流 2.1 A、电池类型 Lithium-ion、产品 Charge Management、原产国家或地区 中国，采用 WLCSP-20 封装。ADP5061ACBZ-5-R7
Analog Devices · 封装：WLCSP-20
主要参数包括工作电源电压 4～6.7 V、输出电压 4.3 V、输出电流 2.1 A、电池类型 Lithium-ion、产品 Charge Management、原产国家或地区 中国，采用 WLCSP-20 封装。ADP5062ACPZ-1-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-20
主要参数包括工作电源电压 4～6.7 V、输出电压 4.2 V、输出电流 1.3 A、电池类型 Lithium-ion、产品 Charge Management、晶圆制造国家或地区 中国，采用 LFCSP-20 封装。DS2712E+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSSOP-16
主要参数包括工作电源电压 4～5.5 V、输出电压 750 mV、输出电流 20 mA、电池类型 Nickel Cadmium (NiCd), Nickel Metal Hydride (NiMH)、产品 Charge Management、原产国家或地区 菲律宾，采用 TSSOP-16 封装。DS2712Z+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
主要参数包括输出电流 20 mA、电池类型 Nickel Cadmium (NiCd), Nickel Metal Hydride (NiMH)、产品 Charge Management、原产国家或地区 美国、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-16 封装。LT1512CN8#PBF
Analog Devices · 封装：PDIP-8
主要参数包括工作电源电压 2.7～25 V、输出电流 1.5 A、电池类型 Lead Acid, Lithium-ion, Lithium Polymer, Nickel Cadmium (NiCd), Nickel Metal Hydride (NiMH)、产品 Battery Protection、原产国家或地区 马来西亚、最大工作温度 + 70 C，采用 PDIP-8 封装。DS2712ZB+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
主要参数包括电池类型 Nickel Cadmium (NiCd), Nickel Metal Hydride (NiMH)、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 DS2712ZB 90-2712Z+B00，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。