LP5912Q0.9DRVTQ1
Texas Instruments · 封装:WSON-6
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 0.9 V、输出电压范围 0.8~5.5 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、输出类型 Fixed、类型 Low Noise,采用 WSON-6 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Texas Instruments · 封装:WSON-6
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 0.9 V、输出电压范围 0.8~5.5 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、输出类型 Fixed、类型 Low Noise,采用 WSON-6 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:DFN-12
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压范围 0~34.35 V、输出电流 0.8 A、输出类型 Adjustable、类型 Current Source Reference、输出数 1 Output、输入电压(最大值) 36 V,采用 DFN-12 封装。ON Semiconductor · 封装:WLCSP-4
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 1.8 V、输出电流 250 mA、输出类型 Fixed、类型 Ultra Low Noise LDO、输出数 1 Output、静态电流 12 uA,采用 WLCSP-4 封装。ON Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器(LDO)。ON Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器(LDO)。ON Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括认证等级 AEC-Q100。ON Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括认证等级 AEC-Q100。ON Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器(LDO)。Diodes Incorporated · 封装:SOT-89-3
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 3.3 V、输出电流 200 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、静态电流 10 nA,采用 SOT-89-3 封装。ON Semiconductor · 封装:XDFN-6
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 1 V、输出电流 500 mA、输出类型 Fixed、类型 CMOS LDO Regulator、输出数 1 Output、静态电流 60 uA,采用 XDFN-6 封装。ON Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 2.7 V、输出电流 250 mA、输出类型 Fixed、类型 Ultra Low Noise LDO、输出数 1 Output、静态电流 12 uA。ON Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器(LDO)。ON Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器(LDO)。ON Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器(LDO)。ON Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器(LDO)。ON Semiconductor · 封装:XDFN-4
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括认证等级 AEC-Q100,采用 XDFN-4 封装。ON Semiconductor · 封装:WLCSP-4
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 3 V、输出电流 250 mA、输出类型 Fixed、类型 Ultra Low Noise LDO、输出数 1 Output、静态电流 12 uA,采用 WLCSP-4 封装。ON Semiconductor · 封装:WLCSP-4
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 2.6 V、输出电流 250 mA、输出类型 Fixed、类型 Ultra Low Noise LDO、输出数 1 Output、静态电流 12 uA,采用 WLCSP-4 封装。ON Semiconductor · 封装:XDFN-4
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括认证等级 AEC-Q100,采用 XDFN-4 封装。ON Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器(LDO)。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。