W25R128FWSIQ
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 128 MBit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W25R128JVEIQ
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。SST39WF800B-70-4C-EKE
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。W25R128JVPIQ
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。SST26VF016B-104I/UB
Microchip Technology
主要参数包括存储器类型 NOR。SST25PF080B-80-4C-QAE
Microchip Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。SST25WF020-40-5I-QAE
Microchip Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。SST25PF080B-80-4E-QAE
Microchip Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。W25Q16JLSSIG TR
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。SST25PF040B-80-4E-S2AE
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。AT25DF256-XMHN-B
Adesto Technologies · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 TSSOP-8 封装。AT25DN512C-XMHFGP-B
Adesto Technologies · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 TSSOP-8 封装。SST25PF080B-80-4E-SAE
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。W25Q20CLSNIG TR
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。IS25WP256E-RMLE
ISSI · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP-16 封装。S29GL512S12TFVV20
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。IS25WP128-RGLE
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 QPI, SPI、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-24 封装。S25FS512SAGNFV011
Cypress Semiconductor · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。S25FS512SDSNFV011
Cypress Semiconductor · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 WSON-8 封装。S29GL512T12TFVV20
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。