AS4C16M16SA-6BINTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-66
主要参数包括类型 SDRAM、存储组织结构 16 M x 16、湿敏性 是，采用 TSOP-66 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS42S32800J-6TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-86 封装。AS4C128M16D3LB-12BCNTR
Alliance Memory
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、类型 SDRAM - DDR3L、存储组织结构 128 M x 16、湿敏性 是。IS45S32400F-6TLA2-TR
ISSI · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-86 封装。IS66WVH8M8ALL-166B1LI-TR
ISSI · 封装：FBGA-24
主要参数包括类型 HyperRAM、湿敏性 是、商品名称 HyperRAM，采用 FBGA-24 封装。IS43TR82560BL-125KBL-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。AS4C4M32S-6BINTR
Alliance Memory · 封装：TFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TFBGA-90 封装。IS42S16160J-7BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是，采用 BGA-54 封装。IS43DR81280B-25DBL-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-60 封装。IS43TR16128BL-125KBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L，采用 BGA-96 封装。AS4C16M32MSA-6BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-90 封装。IS42S16400J-5BL-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。IS43TR81024B-125KBL
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-78 封装。AS4C32M8SA-7TCNTR
Alliance Memory
主要参数包括湿敏性 是。IS43TR82560CL-15HBLI
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS45S32800J-6BLA1
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。IS46TR16640ED-125KBLA2
ISSI · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IS46DR16320D-25DBLA2
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。IS43TR82560C-15HBL
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。MT53E128M16D1DS-046 AIT:A
Micron
主要参数包括存储容量 2 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。