MT53D1024M64D8PM-053 WT:D
Micron
DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT53E1G64D8NW-053 WT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 64 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 1 G x 64。MT53D512M64D4RQ-046 WT:E
Micron
DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDPMT44K64M18RB-107E:A TR
Micron · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 1200 MHz、存储容量 1.125 Gbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、类型 RLDRAM3、数据总线宽度 18 位，采用 BGA-168 封装。S70KL1281DABHV023
Cypress Semiconductor
主要参数包括类型 HyperRAM、湿敏性 是、商品名称 HyperRAM。MT44K32M36RB-107E:A TR
Micron · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 1200 MHz、存储容量 1.125 Gbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、类型 RLDRAM3、数据总线宽度 36 位，采用 BGA-168 封装。W97AH6KBVX2I TR
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-134 封装。MT51K256M32HF-70:B
Micron
DRAM GDDR5 8G 256MX32 FBGAW97AH6KBVX2E TR
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-134 封装。MT41K512M8DA-093:P TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。MT41K512M8DA-107 V:P
Micron · 封装：FBGA-78
采用 FBGA-78 封装。W9825G6JB-6I TR
Winbond · 封装：TFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-54 封装。S27KL0641DABHB033
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-24 封装。MT46V32M16CY-5B XIT:J
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-60 封装。S27KL0641DABHV023
Cypress Semiconductor
主要参数包括类型 HyperRAM、商品名称 HyperRAM、单件重量 0.021164 oz。S27KL0641DABHA023
Cypress Semiconductor
主要参数包括类型 HyperRAM、认证等级 AEC-Q100、商品名称 HyperRAM。MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32。IS46TR16640B-15GBLA2-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43R16320D-6TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。IS43DR16320E-3DBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-84 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。