SST38VF6401-90-5I-B3KE-T
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录S25FS256SDSNFI003
Cypress Semiconductor · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。SST39VF3201-70-4I-B3KE-T
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。S25FL064LABBHN023
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 54 MHz, 108 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。IS25LP064D-JBLE
ISSI · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP-8 封装。S25FL064LABBHV023
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 54 MHz, 108 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。SST39VF802C-70-4I-MAQE-T
Microchip Technology · 封装：WFBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 WFBGA-48 封装。SST39VF3202B-70-4I-B3KE-T
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。AT45DQ161-SHF-T
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。SST25VF080B-80-4I-QAE-T
Microchip Technology · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。AT45DB041E-SHNHT-T
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括商品名称 DataFlash、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。SST25VF080B-50-4I-QAE-T
Microchip Technology · 封装：TDFN-S-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 TDFN-S-8 封装。AT25PE40-SHN-T
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 Non-Volatile，采用 SOIC-8 封装。SST39LF402C-55-4C-EKE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST39VF402C-70-4I-B3KE-T
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。W25X10CLSNIG TR
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 k x 8，采用 SOIC-8 封装。IS25LP256D-JHLE-TR
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 TFBGA-24 封装。IS25LQ040B-JKLE-TR
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括湿敏性 是，采用 WSON-8 封装。S26KS512SDPBHM020
Cypress Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、商品名称 HyperFlash。S29GL01GS10FHI013
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit Eclipse。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。