IS42S16100H-6BL-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-60 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS46TR16256B-125KBLA2
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。AS4C8M16SA-6TINTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。IS42SM32160E-75BL
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM Mobile，采用 BGA-90 封装。IS45S16100H-7TLA1-TR
ISSI · 封装：TSOP-50
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-50 封装。IS45S32400F-6BLA2
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。IS43LD32320C-18BLI
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、湿敏性 是。IS45S16400J-6BLA2
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。IS45S16320F-7CTLA1
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是，采用 TSOP-54 封装。IS42S32160F-6TL
ISSI · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-86 封装。IS42RM16800H-75BLI
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是，采用 BGA-54 封装。IS42S86400F-6TL
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-54 封装。IS46R86400D-6TLA1
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。IS42S16100H-6TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-50
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-50 封装。MT53D1G64D8SQ-053 WT:E
Micron
DRAMMT53E2G32D4DT-046 AIT:A
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 64 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 2 G x 32。MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR
Micron · 封装：VFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 32 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1 G x 32、最小工作温度 - 30 C，采用 VFBGA-200 封装。MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D TR
Micron · 封装：VFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1 G x 32，采用 VFBGA-200 封装。MT53E1536M32D4DT-046 AAT:A
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1536 M x 32。MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D TR
Micron · 封装：VFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1 G x 32，采用 VFBGA-200 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。