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存储器

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SST26VF032BAT-104I/SM

Microchip Technology · 封装:SOIJ-8

主要参数包括存储器类型 NOR,采用 SOIJ-8 封装。

IS25LP080D-JKLE-TR

ISSI · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Serial, QPI, SPI、定时类型 Synchronous,采用 WSON-8 封装。

W25Q80DVSVIG

Winbond · 封装:VSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 VSOP-8 封装。

IS25WP080D-JNLE-TR

ISSI · 封装:SOIC-8

主要参数包括湿敏性 是,采用 SOIC-8 封装。

S26KS256SDPBHI020

Cypress Semiconductor · 封装:FBGA-24

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous,采用 FBGA-24 封装。

S29AL016J70FAN023

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

S29GL128S10DHB013

Cypress Semiconductor · 封装:LAE-64

主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR、电源电流(最大值) 100 uA,采用 LAE-64 封装。

575-A0113-02

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

MT25QU128ABA1EW9-0SIT TR

Micron · 封装:WDFN-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 WDFN-8 封装。

IS25LP256E-JLLE

ISSI · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 QPI, SPI、定时类型 Synchronous,采用 WSON-8 封装。

SST39WF1602-70-4I-B3KE-T

Microchip Technology · 封装:TFBGA-48

主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 TFBGA-48 封装。

AT25SL128A-SUE-T

Adesto Technologies

NOR Flash 128M 1.65V-1.95V SPI 104MHz IND TEMP

W25Q32JVXGIQ TR

Winbond · 封装:XSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 XSON-8 封装。

IS25LP064A-JLLE-TR

ISSI · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Serial、定时类型 Synchronous,采用 WSON-8 封装。

AT45DB321E-SHFHC-T

Adesto Technologies · 封装:SOIC-8 Wide

主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 Wide 封装。

IS25LQ016B-JNLE-TR

ISSI · 封装:SOIC-8

主要参数包括湿敏性 是,采用 SOIC-8 封装。

S29GL064S90DHVV10

Cypress Semiconductor · 封装:BGA-64

主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 BGA-64 封装。

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