W25Q80EWBYIG TR
Winbond · 封装：WLCSP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WLCSP-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS25WP256D-JLLA3
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。MT25QU128ABA1EW7-MSIT
Micron · 封装：WDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WDFN-8 封装。S79FL256SDSMFVG01
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。S25FL064LABMFA003
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 54 MHz, 108 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-16 封装。S79FL01GSDSBHVC10
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。AT45DB321F-SHN-B
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 4 M x 8，采用 SOIC-8 封装。W25Q256JWPIM
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。AT25DL161-MHN-T
Adesto Technologies · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 UDFN-8 封装。W25Q20CLSNIG
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。W25Q32JVTBIQ
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 TFBGA-24 封装。LE25S40AFDTWG
ON Semiconductor · 封装：VSOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储器类型 NOR，采用 VSOIC-8 封装。W25Q80DVBYIG TR
Winbond · 封装：WLCSP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WLCSP-8 封装。IS25LP128F-RMLE
ISSI · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S29GL256S90GHI010
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-56
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-56 封装。S25FL128SAGBHVB03
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。AT45DB322F-SHN2B-T
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 4 M x 8，采用 SOIC-8 封装。S29AL008D90BFM023_791029
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。SST39VF400A-70-4C-MAQE-T
Microchip Technology · 封装：WFBGA-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 WFBGA-48 封装。W25Q128FWSIF
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。