AT25SF128A-MHB-T
Adesto Technologies · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 16 M x 8，采用 UDFN-8 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录S25FL256SAGBHVC03
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。S25FL256SAGBHIA03
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。SST49LF080A-33-4C-WHE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous, Synchronous，采用 TSOP-32 封装。AT45DQ321-MWHF-T
Adesto Technologies
主要参数包括湿敏性 是、商品名称 DataFlash。W25Q256JVCIQ
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 TFBGA-24 封装。W25Q256JVFIQ TR
Winbond · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-16 封装。SST39WF1602-70-4C-MAQE-T
Microchip Technology · 封装：WFBGA-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 WFBGA-48 封装。SST39WF800B-70-4I-B3KE-T
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。SST39VF801C-70-4C-MAQE-T
Microchip Technology · 封装：WFBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 WFBGA-48 封装。AT25DF021A-MHN-T
Adesto Technologies
主要参数包括湿敏性 是。W25Q128JVFIQ TR
Winbond · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-16 封装。SST39SF020A-70-4C-WHE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-32 封装。AT25QL641-UUE-T
Adesto Technologies · 封装：WLCSP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 WLCSP-8 封装。LE25U81AFDTWG
ON Semiconductor · 封装：VSOIC-8
主要参数包括湿敏性 是，采用 VSOIC-8 封装。SST39LF401C-55-4C-B3KE
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。AT25DF041B-XMHN-T
Adesto Technologies
主要参数包括湿敏性 是。AT25XV041B-UUV-T
Adesto Technologies
NOR Flash SPI S-FLASH Dual-I/O 4Mb, IND TEMP, 1.65VAT25XE041B-UUN-T
Adesto Technologies
NOR Flash SPI S-FLASH Dual-I/O 4Mb, IND TEMP, 1.65VW25X40CLZPIG TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8，采用 WSON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。