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存储器

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型号列表

46,309 条型号记录
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AT45DB041E-SHNHC-T

Adesto Technologies · 封装:SOIC-8 Wide

主要参数包括最大时钟频率 70 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 Wide 封装。

S25FL512SDSMFV013

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit。

SST39VF6401B-70-4I-EKE

Microchip Technology · 封装:TSOP-48

主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 TSOP-48 封装。

AT25PE16-SSHF-T

Adesto Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 NOR,采用 SOIC-8 封装。

MT25QL256ABA8ESF-MSIT

Micron · 封装:SOP2-16

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOP2-16 封装。

IS25LP064A-JKLE-TR

ISSI · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Serial、定时类型 Synchronous,采用 WSON-8 封装。

MT28EW128ABA1LPN-0SIT

Micron · 封装:VFBGA-56

主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 16 M x 8, 8 M x 16,采用 VFBGA-56 封装。

MT28EW512ABA1LJS-0AAT

Micron · 封装:TSOP-56

主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 64 M x 8, 32 M x 16,采用 TSOP-56 封装。

MT25QU128ABA8E12-1SIT

Micron · 封装:T-PBGA-24

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 T-PBGA-24 封装。

W25Q256JVCIM

Winbond · 封装:TFBGA-24

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 TFBGA-24 封装。

IS25LP128F-JBLE-TR

ISSI · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 封装。

W25Q32JVZPIM

Winbond · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 WSON-8 封装。

IS25LP256D-JLLE-TR

ISSI · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Serial, QPI, SPI、定时类型 Synchronous,采用 WSON-8 封装。

MT28EW512ABA1HJS-0AAT

Micron · 封装:TSOP-56

主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 64 M x 8, 32 M x 16,采用 TSOP-56 封装。

MT25QL128ABA8E14-0SIT

Micron · 封装:T-PBGA-24

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 T-PBGA-24 封装。

S25FL512SDPMFI013

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-16 封装。

MT25QU256ABA8E12-0AUT

Micron · 封装:T-PBGA-24

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 T-PBGA-24 封装。

SST39VF1601C-70-4C-B3KE-T

Microchip Technology · 封装:TFBGA-48

主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 TFBGA-48 封装。

SST39WF400B-70-4I-MAQE-T

Microchip Technology · 封装:WFBGA-48

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 WFBGA-48 封装。

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