S25FL256SAGNFB003
Cypress Semiconductor · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT25QU256ABA8E12-0AAT TR
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。S29GL256S90FHI013
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。ATXP032-CCUE-Y
Adesto Technologies · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 4 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-24 封装。SST39VF3201-70-4C-EKE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。S25FL064LABBHN033
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 54 MHz, 108 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。SST39SF010A-70-4C-WHE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-32 封装。IS25LP128F-JLLA3
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。S25FL512SAGMFA013
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 NOR，采用 SOIC-16 封装。MT25TL512BBA8ESF-0AAT
Micron · 封装：SOP2-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP2-16 封装。S25FL256SAGBHIC03
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。IS25LP032D-JMLE-TR
ISSI · 封装：SOIC-16
主要参数包括湿敏性 是，采用 SOIC-16 封装。S29GL256S11DHVV23
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。S25FS512SAGNFI013
Cypress Semiconductor · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。SST39WF1601-70-4C-B3KE-T
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。SST39VF1601-70-4I-B3KE-T
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。AT25SL321-UUE-T
Adesto Technologies
NOR Flash 32M 1.65V-1.95V SPI 104MHz IND TEMPSST39VF800A-70-4I-MAQE-T
Microchip Technology · 封装：WFBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 WFBGA-48 封装。W25Q16FWUXIE TR
Winbond · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 USON-8 封装。IS25LP128-JKLE-TR
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括湿敏性 是，采用 WSON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。