IS46TR16256AL-15HBLA2-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L，采用 BGA-96 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS46TR16256A-125KBLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3，采用 BGA-96 封装。IS46TR16256BL-125KBLA2-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS42S32800G-7BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。IS43LD16320A-25BLI-TR
ISSI · 封装：FBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-134 封装。IS43DR16320C-3DBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。IS43DR81280C-25DBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括类型 SDRAM - DDR2、湿敏性 是，采用 BGA-60 封装。MT40A1G16KNR-075:E TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 G x 16，采用 FBGA-96 封装。MT53D768M32D2DS-046 WT:A
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 24 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32。MT49H32M18SJ-25E:B TR
Micron · 封装：FBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 18 位，采用 FBGA-144 封装。IS42S32800J-6BL-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 12 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR
Micron · 封装：FBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 18 位，采用 FBGA-144 封装。MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 256 M x 64。W949D6DBHX5I TR
Winbond · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。MT53B1DBDS-DC
Micron
DRAMMT53D256M64D4NY-046 XT:B
Micron
DRAM LPDDR4 16G 256MX64 FBGA QDPW972GG8KB-25 TR
Winbond · 封装：WBGA-60
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8，采用 WBGA-60 封装。MT40A1G8SA-062E IT:E TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。MT40A512M8SA-062E AUT:F
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 512 M x 8，采用 FBGA-78 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。