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存储器

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S26KS128SDPBHB020

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 HyperFlash。

S25FS512SDSNFB010

Cypress Semiconductor · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 WSON-8 封装。

S25FS256SAGMFB000

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-16

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 SOIC-16 封装。

SST39VF800A-70-4I-B3KE-T

Microchip Technology · 封装:TFBGA-48

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 TFBGA-48 封装。

S29GL064N90FFI043

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

S29GL256S10DHIV23

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

S29GL256S90FHI023

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。

AT45DQ161-SSHF2B-T

Adesto Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 封装。

SST39VF200A-70-4C-MAQE-T

Microchip Technology · 封装:WFBGA-48

主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 WFBGA-48 封装。

SST39VF801C-70-4I-B3KE-T

Microchip Technology · 封装:TFBGA-48

主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 TFBGA-48 封装。

SST39LF200A-55-4C-B3KE-T

Microchip Technology · 封装:TFBGA-48

主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 TFBGA-48 封装。

AT25XE011-XMHN-T

Adesto Technologies

NOR Flash X-Energy, 8-TSSOP, IND TEMP, 1.65V, T&R

AT25PE20-SHN-T

Adesto Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 Non-Volatile,采用 SOIC-8 封装。

SST39VF401C-70-4I-B3KE-T

Microchip Technology · 封装:TFBGA-48

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 TFBGA-48 封装。

SST25WF040BT-40I/SN

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 封装。

SST25VF010A-33-4C-QAE

Microchip Technology · 封装:WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 WSON-8 封装。

W25Q32JVSNIM

Winbond · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 SOIC-8 封装。

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