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Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 HyperFlash。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 HyperFlash。Cypress Semiconductor · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 WSON-8 封装。Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 SOIC-16 封装。Microchip Technology · 封装:TFBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 TFBGA-48 封装。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR。Adesto Technologies · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:WFBGA-48
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 WFBGA-48 封装。Microchip Technology · 封装:TFBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 TFBGA-48 封装。Microchip Technology · 封装:TFBGA-48
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 TFBGA-48 封装。Adesto Technologies
NOR Flash X-Energy, 8-TSSOP, IND TEMP, 1.65V, T&RAdesto Technologies · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 Non-Volatile,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:TFBGA-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR,采用 TFBGA-48 封装。Adesto Technologies
NOR Flash 64M 1.65V-1.95V SPI 104MHz IND TEMPMicrochip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 WSON-8 封装。Winbond · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。