IS29GL256-70DLEB
ISSI · 封装：BGA-64
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-64 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT35XU512ABA1G12-0AAT
Micron
主要参数包括商品名称 Xccela。MT35XL512ABA1G12-0SIT
Micron
主要参数包括商品名称 Xccela。MT25QL256ABA8E12-1SAT
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。MT25QL512ABB8E12-0AUT
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。MT28EW512ABA1HPN-0SIT
Micron · 封装：VFBGA-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 64 M x 8, 32 M x 16，采用 VFBGA-56 封装。MT28EW128ABA1HPN-0SIT
Micron · 封装：VFBGA-56
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 16 M x 8, 8 M x 16，采用 VFBGA-56 封装。S98GL064NB0HI0070
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。MT28EW01GABA1LJS-0AAT
Micron · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8, 64 M x 16，采用 TSOP-56 封装。MT25QU128ABA8E12-0SIT
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。MT25QL01GBBB8E12-0AUT
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。MT28EW256ABA1HPN-0SIT
Micron · 封装：VFBGA-56
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 32 M x 8, 16 M x 16，采用 VFBGA-56 封装。MT25QL128ABA8E12-0AAT
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。MT28EW01GABA1LPC-0AAT
Micron · 封装：LBGA-64
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8, 64 M x 16，采用 LBGA-64 封装。MT25QL512ABB8E12-1SIT
Micron · 封装：T-PBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 T-PBGA-24 封装。MT28EW01GABA1HJS-0AAT
Micron · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8, 64 M x 16，采用 TSOP-56 封装。IS25LP016D-JNLA3-TR
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。MT28EW512ABA1LJS-0SIT
Micron · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 64 M x 8, 32 M x 16，采用 TSOP-56 封装。S26KL512SDABHV020
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous，采用 FBGA-24 封装。S25FS512SDSBHB213
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。