S29GL256S11FHIV10
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录C3FBLY000085
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。S25FS512SAGBHM210
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。S29AL016J70BFA023
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。SST25PF040CT-40V/MF
Microchip Technology
NOR Flash 4Mb, Serial Flash, 3.0V, 105CS29GL512S11DHB020
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。S29GL064S70TFI060
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。S29GL256S10TFIV10
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S29GL256S10TFIV20
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S25FL128SAGMFIG00
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-16 封装。IS26KL256S-DABLI00
ISSI · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous，采用 FBGA-24 封装。W25Q32JVTCIQ
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 TFBGA-24 封装。W25Q32JVTCIM
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 TFBGA-24 封装。IS25LP016D-JNLA3
ISSI · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-8 封装。W25X20CLZPIG
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 k x 8，采用 WSON-8 封装。W25Q32JVTBIM
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 TFBGA-24 封装。W25Q32JWSSIQ
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。S25FL128SAGNFI011
Cypress Semiconductor · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。MT25QL128ABA1ESE-MSIT
Micron · 封装：SOP2-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP2-8 封装。S29GL512S10FAI013
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。