AS4C32M16SA-7TINTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS46TR16128B-15HBLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。MT53D512M64D4NZ-046 WT:E
Micron
DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDPMT41K256M16TW-107 M AIT:P
Micron · 封装：FBGA-96
采用 FBGA-96 封装。W972GG6KB-18 TR
Winbond · 封装：WBGA-84
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16，采用 WBGA-84 封装。IS46R16160D-6BLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-60 封装。MT53E256M16D1DS-046 AIT:B
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16。MT48LC16M16A2B4-6A:G TR
Micron · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。S27KL0641DABHA033
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-24 封装。MT41K128M16JT-107 AAT:K TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。S27KL0641DABHV033
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-24 封装。MT46V64M8P-5B:J TR
Micron · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-66 封装。W9812G6JB-6 TR
Winbond · 封装：TFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-54 封装。W631GG6MB-12 TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W9864G6JT-6 TR
Winbond · 封装：TFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-54 封装。W634GG6MB-09
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。IS42S32160D-6BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。S27KL0641DABHB030
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-24 封装。IS46TR16256AL-15HBLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L，采用 BGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。