S29GL064N11FFIV20
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录SST39WF800B-70-4C-B3KE
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。S25FL256SAGMFIR10
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-Narrow-16 封装。S25FL512SDSMFV011
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL256SDPMFV001
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-Narrow-16 封装。S25FL064LABBHN030
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 54 MHz, 108 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。S25FL128LAGMFB010
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。S29GL128S11TFIV10
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S25FL064LABBHI030
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 54 MHz, 108 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。W25Q10EWSNIG
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。S25FL256LAGBHN030
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR。SST26VF032B-104I/TD
Microchip Technology · 封装：BGA-24
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、单件重量 0.006385 oz，采用 BGA-24 封装。S29AL016J70BFN010
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-48 封装。W25X40CLSVIG
Winbond · 封装：VSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 k x 8，采用 VSOP-8 封装。SST25VF080B-50-4C-PAE
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 PDIP-8 封装。S29GL512T10FHI030
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-64
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 FBGA-64 封装。S25FL128SAGMFM000
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-16 封装。SST39SF010A-70-4I-NHE-T
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 PLCC-32 封装。S25FS256SAGNFI003
Cypress Semiconductor · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。MT25QL128ABA1ESE-MSIT TR
Micron · 封装：SOP2-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP2-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。