SST26WF080B-104I/MF
Microchip Technology
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、商品名称 SQI、单件重量 0.007055 oz。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S29GL512S12TFIV10
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S25FS128SDSNFI100
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、商品名称 MirrorBit、单件重量 0.000384 oz。SST39SF040-45-4C-WHE
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-32 封装。SST26VF032BA-104I/MF
Microchip Technology
主要参数包括存储器类型 NOR、湿敏性 是、单件重量 0.007055 oz。AT45DB081E-MHN-Y
Adesto Technologies · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 85 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 UDFN-8 封装。W25Q32JVSFIQ TR
Winbond · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FS256SAGMFI001
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOIC-16 封装。S25FL256LAGMFN001
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR。S29GL128P11TFI023
Cypress / Spansion · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。S25FL256SAGBHI210
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 BGA-24 封装。SST26VF016B-104V/MF
Microchip Technology · 封装：WDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial、定时类型 Synchronous，采用 WDFN-8 封装。S29GL256P90FFCR10
Cypress / Spansion · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。IS25WP016D-JBLE
ISSI · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 QPI, SPI、存储器类型 NOR，采用 SOIC-Wide-8 封装。W25Q80DLSNIG TR
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。S70FL01GSAGBHAC10
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。SST39VF801C-70-4I-MAQE
Microchip Technology · 封装：WFBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 WFBGA-48 封装。W25Q80EWSNIG TR
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。W25Q40CLSSIG
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 SOIC-8 封装。SST39WF1601-70-4C-B3KE
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。