MT53E1G64D8NW-046 WT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 64 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 1 G x 64。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W9864G6KH-6I TR
Winbond · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。MT40A1G8SA-062E AAT:E
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 1 G x 8，采用 FBGA-78 封装。IS46TR16256A-125KBLA2-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3，采用 BGA-96 封装。IS43LR16320C-5BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - DDR、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-60 封装。MT53E128M32D2DS-046 AUT:A
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32。IS42S32800J-6BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。IS42S32400F-6BL-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。MT41J128M16JT-107:KTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16，采用 FBGA-96 封装。MT41J128M16JT-107:K:TR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16，采用 FBGA-96 封装。MT53E512M64D4NW-046 WT:E
Micron
主要参数包括存储容量 32 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。MT53E128M32D2DS-046 AAT:A
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32。MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。W972GG8KB25I TR
Winbond · 封装：WBGA-60
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8，采用 WBGA-60 封装。AS4C32M16SB-7TCNTR
Alliance Memory
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是。MT53D1G64D8NZ-046 WT:E
Micron
DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DPMT44K32M36RB-107E IT:A
Micron · 封装：BGA-168
采用 BGA-168 封装。IS43LD32640B-18BL
ISSI · 封装：BGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-134 封装。IS45S16400J-7BLA2-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。S27KL0641DABHI033
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、类型 HyperRAM、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。