IS25LQ010B-JKLE
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.002610 oz，采用 WSON-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S29GL032N90FFIS30
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-64
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 BGA-64 封装。S25FS256SDSBHI300
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-24
主要参数包括最大时钟频率 80 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。SST39VF3201-70-4C-B3KE
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。SST39VF3202-70-4I-B3KE
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。SST39VF1681-70-4I-B3KE
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。SST39VF802C-70-4C-MAQE
Microchip Technology · 封装：WFBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 WFBGA-48 封装。SST39VF1682-70-4C-EKE
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST39VF801C-70-4I-EKE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST39VF802C-70-4I-MAQE
Microchip Technology · 封装：WFBGA-48
主要参数包括存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 WFBGA-48 封装。SST39VF010-70-4C-WHE-T
Microchip Technology · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-32 封装。SST39SF010A-55-4C-NHE-T
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 PLCC-32 封装。AT25DF512C-SSHN-T
Adesto Technologies
NOR Flash 512K, 1.65V, 85Mhz Serial FlashSST38VF6401-90-5C-EKE
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。S29GL064S80TFIV20
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-56
主要参数包括存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-56 封装。SST39VF402C-70-4C-EKE
Microchip Technology · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TSOP-48 封装。SST39VF400A-70-4I-B3KE
Microchip Technology · 封装：TFBGA-48
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 TFBGA-48 封装。W25X20CLSNIG TR
Winbond · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 k x 8，采用 SOIC-8 封装。LE25U20AQGTXG
ON Semiconductor · 封装：VDFN-5x6-8
主要参数包括湿敏性 是，采用 VDFN-5x6-8 封装。SST39SF020A-55-4C-NHE-T
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NOR，采用 PLCC-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。